미래창조과학부 공고 제 2015 – 193 호

2015년도 나노․소재기술개발사업

(선행공정․플랫폼기술연구개발사업) 신규과제 공고

미래창조과학부에서는 나노기술 발전을 통한 글로벌 기술경쟁력 제고와 나노강국 실현을 위해 2015년도 나노․소재기술개발사업(선행공정․플랫폼기술연구개발사업)의 신규과제 선정계획을 아래와 같이 공고하오니, 연구자분들의 많은 관심과 참여 바랍니다.

2015년 5월 8일

미래창조과학부장관 최 양 희

1. 대상과제 개요

가. 사업명 : 나노‧소재기술개발사업(선행공정․플랫폼기술연구개발사업)

나. 사업목적

◦ 사물인터넷 시대의 도래로 소형화, 고성능화, 초절전화 센서 개발 등 해당분야 기반의 기술개발 수요가 급증할 것으로 예측됨에 따라 학‧연‧산 연구개발 저변 확대를 위한 선행적 공정 기반 기술 구축

다. 공고 및 인터넷 신청기간 : 2015.5.8. ~ 6.16.(40일간), 17:00

※ 마감시간 임박 시 시스템 부하 등으로 신청이 어려울 수 있으므로 사전에 인터넷 접수 완료 요망

※ 공고 시 응모자가 없거나, 단독응모 분야는 10일 이상 재공고 함

라. 과제형식 : 총괄과제

※ 총괄과제 책임자가 2개 이상의 세부과제를 자율적으로 구성하되 총괄과제 책임자는 반드시 1개 세부과제 책임자를 겸하여야 함

마. 과제제안요구서(RFP)

연번	RFP명	총 사업기간 (단계 연구기간)	`15년도 연구기간	지원규모*
1	차세대 초절전 집적 공정 플랫폼 개발	`15.8.～`20.5./ 5년(57개월) (`15.8.～`18.5./ 3년(33개월))	`15.8.～`16.5. (9개월)	11억원내외/년 (5년, 3+2)
2	스마트센서용 초소형 NEMS 공정플랫폼 개발			9억원내외/년 (5년, 3+2)
3	차세대 나노 소자 양산을 위한 마스크 오염방지 플랫폼 기술개발			8억원내외/년 (5년, 3+2)
4	나노 실리콘 기반 센서 공정플랫폼 기술개발			10억원내외/년 (5년, 3+2)
5	고집적 다차원 센서 공정 플랫폼 개발			8억원내외/년 (5년, 3+2)
6	고감도·고성능·극한환경 센서용 공정플랫폼 기술개발			11.5억원내외/년 (5년, 3+2)

* 2015년도는 당해 연구기간(9개월)에 맞춰 지원예산의 75% 이내 지원

※ 세부내용은 [붙임]과제제안요구서(RFP) 참조

※ 연구비는 간접비가 포함된 금액이며, 사업기간 및 연구비는 연도별 시행계획 등에 따라 변경 가능. 또한, 사업 접수 및 평가 진행상황에 따라 연구개시일 변경 가능

※ 단계평가는 상대평가를 원칙으로 하며, 결과에 따라서 지원중단 또는 연구비 조정 가능

2. 신청자격 및 방법

가. 신청자격

◦ 연구기관 :「기초연구진흥 및 기술개발지원에 관한 법률」제14조 제1항에서 정하는 기관 및 단체

제14조(특정연구개발사업의 추진) ① 미래창조과학부장관은 기초연구의 성과 등을 바탕으로 하여 국가 미래 유망기술과 융합기술을 중점적으로 개발하기 위한 연구개발사업(이하 "특정연구개발사업"이라 한다)에 대하여 계획을 수립하고, 연도별로 연구과제를 선정하여 이를 다음 각 호의 기관 또는 단체와 협약을 맺어 연구하게 할 수 있다. 이 경우 제2호의 기관 중 대표권이 없는 기관에 대하여는 그 기관이 속한 법인의 대표자와 협약할 수 있다.

1. 제6조제1항 각 호에 해당하는 기관

2. 연구 인력·시설 등 대통령령으로 정하는 기준에 해당하는 기업부설연구소 및 기업의 연구개발전담부서

3.「산업기술연구조합 육성법」에 따른 산업기술연구조합

4.「나노기술개발 촉진법」 제7조에 따른 나노기술연구협의회

5.「민법」 또는 다른 법률에 따라 설립된 과학기술분야 비영리법인 중 연구 인력·시설 등 대통령령으로 정하는 기준에 해당하는 비영리법인

6.「의료법」에 따라 설립된 의료법인 중 연구 인력·시설 등 대통령령으로 정하는 기준에 해당하는 의료법인

7. 그 밖에 연구 인력·시설 등 대통령령으로 정하는 기준에 해당하는 국내외 연구 기관 또는 단체 및 영리를 목적으로 하는 법인

◦ 연구책임자 :「미래창조과학부 소관 과학기술분야 연구개발사업 처리규정」제12조(주관연구기관 등) 제2항 및 제18조(연구개발과제의 수행전념) 제2항에 의거 요건을 갖춘 자

- 단, 신청 마감일 전일까지 「국가연구개발사업의 관리 등에 관한 규정」제27조에 의하여 참여제한이 종료되지 않은 자는 과제신청 자격이 없음

-「미래창조과학부 소관 과학기술분야 연구개발사업 처리규정」제18조(연구개발과제의 수행전념 등)에 의하여 연구자가 연구원으로 국가연구개발사업에 참여할 수 있는 연구개발과제는 5개 이내로 하며, 연구책임자로 수행할 수 있는 과제는 3개 이내임,

예외사항은 아래와 같음

1. 참여 중인 연구개발과제가 신청마감일로부터 4개월 이내 종료되는 과제

2. 사전조사 또는 기획·평가연구에 참여하거나 시험·검사·분석 등을 수행하는 과제

3. 세부(단위)과제의 조정 및 관리를 목적으로 하는 과제

4. 중소기업과 비영리법인의 공동기술개발 과제로서 장관이 관계 중앙행정기관의 장과 협의하여 그 금액 등을 별도로 정하는 연구개발과제(비영리법인 소속 연구자의 연구개발과제 수 계산에 대해서만 적용)

5. 장관이 관계 중앙행정기관의 장과 협의하여 별도로 정하는 금액 이하의 소규모 연구개발과제(세부과제로 나누어지지 않는 연구개발과제로서 해당연도 정부출연금액이 5천만원 이하인 연구개발과제)

6. 연구개발사업의 위탁연구과제

7. 연구개발을 목적으로 하지 않는 인력양성 및 학술활동사업

8. 그 밖에 장관 또는 전문기관의 장이 필요성을 인정하는 연구개발과제

※ 3책 5공을 기본적으로 적용하나, 예외사항으로 해당과제의 기술적, 정책적 중요성, 연구개발 추진의 시급성 등에 대한 전문적 판단에 따라 동시수행 과제 수 이상 가능하며, 예외 인정 절차는 과제 선정평가 시 전문가 심의를 통해 추진

※ 동시수행가능 연구개발과제는 세부과제 기준으로 산정함(미래창조과학부고시 제2013-44호). 연구과제 수 상한제도 (3책 5공)의 예외를 인정받고자 하는 경우, 신청서류 양식에 따라 연구과제수 상한(3책 5공) 예외 인정 요청서를 추가로 작성하여야 함.

<공통 적용사항>

□ 공통 신청자격 제한 요건

1) 창의적연구사업: 참여율을 70%이상 유지

○ (과제수행 자격) 창의적연구 책임자는 참여율을 70%이상으로 유지하여야 하며 과제 수행 중에는 참여율 100%(출연(연) 연구원의 경우 최대 130%) 범위 내에서 타 국가연구개발사업 책임자로 1개 과제 추가 수행 가능(단, 기초연구사업은 중복 수행 불가)

○ (신규 신청자격) 타 국가연구개발사업 과제를 수행중인 연구자도 신청 가능하나, 연구개시일 기준으로 창의적연구사업 신규과제 참여율을 70%이상으로 유지 할 수 있어야 하고, 개인기초연구사업 수행자가 창의적연구사업에 선정되는 경우 기존 과제를 창의적연구사업으로 이관하고 조기 종료

2) 국가과학자지원사업 : 연구책임자는 타과제 참여 불가

○ 기존에 수행중인 과제는 12개월 이내 정리

※ 단, 국제공동연구 또는 해외로부터의 수탁연구 참여가능

3) 선도연구센터지원사업

○ 글로벌핵심연구센터(GCRC) 센터장은 1단계 연구기간 중 국가연구개발사업 신규과제에 참여할 수 없음.

○ 선정된 후 3책5공 초과과제 또는 2억원 이상 과제는 12개월 이내 종료 또는 이관

※ 단, 1단계 기간 중에도 산학협력 또는 국제공동연구 사업은 참여가능

4) 글로벌프론티어사업

○ 연구단장은 현 소속기관 내에서 타 업무 참여불가

※ 단, 본 사업 참여 전 기존의 진행 연구과제에 대해서는 6개월 내에 종료 또는 연구책임자를 교체토록 함.

□ 연구자의 연구비 집행․관리 교육 의무화

○ 재단 과제를 수행하는 신규진입 연구자＊는 연구수행 기간 동안 재단에서 지정하는 연구비 집행․관리 교육을 이수하여야 한다.

＊신규진입 연구자 : 재단 소관과제에 대해 최초로 선정된 연구자

□ 연구중단 최소화를 위한 공고

▶ 연구 신청 시, 신중하게 신청하여야 하며, 선정되어 연구 수행 중 중단할 경우에는 아래와 같이 엄중하게 조치할 수 있음

① 정당한 사유 없이 연구수행을 포기한 경우 : 3년 참여제한

※ 국가연구개발사업의 관리 등에 관한 규정 제27조(참여제한 기간 및 사업비 환수 기준)

② 모든 중단과제는 연구비 정밀정산 실시하여, 부적정 집행액은 전액 환수하되,

- 연구중단까지의 연구실적을 평가하여 “부적합(불량)”일 경우에는, 연구조원 인건비 등을 제외한 연구비는 전액 환수

③ 연구중단 연구책임자는 신규과제 신청 시, 감점(패널티) 등 행정적 불이익 조치

◦ 참여기업 연구비 부담 기준

- 국가연구개발사업에 참여기업이 있는 경우, 미래창조과학부 및 참여기업의 연구개발비 출연ㆍ부담 기준은 별표 4를 적용

[별표 4] 미래창조과학부 및 참여기업의 연구개발비 출연ㆍ부담 기준 (제23조제3항 관련)
1. 미래창조과학부의 연구개발비 출연 기준	2. 참여기업이 부담하는 연구개발비 중 현금 부담 기준	3. 참여기업이 부담하는 연구개발비 중 현물 부담이 허용되는 비목 및 범위
가. 참여기업이 대기업인 경우: 총연구개발비의 50퍼센트 이내 나. 참여기업이 중소기업ㆍ대기업이 아닌 경우: 총연구개발비의 60퍼센트 이내 다. 참여기업이 중소기업인 경우: 총연구개발비의 75퍼센트 이내 라. 참여기업이 2개 이상이고, 이 중 중소기업의 비율이 3분의 2 이상인 경우: 총연구개발비의 75퍼센트 이내 마. 그 밖의 경우: 총연구개발비의 50퍼센트 이내	가. 참여기업이 대기업인 경우: 부담금액의 15퍼센트 이상 나. 참여기업이 중소기업ㆍ대기업이 아닌 경우: 부담금액의 13퍼센트 이상 다. 참여기업이 중소기업인 경우: 부담금액의 10퍼센트 이상	가. 참여기업 소속 연구원의 인건비(대기업의 경우에는 현물 투자액의 50퍼센트 이내, 중소기업ㆍ대기업이 아닌 경우에는 70퍼센트 이내) 나. 직접경비 중 보유하고 있는 연구기자재 및 시설비, 재료비, 시작품 제작에 필요한 부품비(대기업이 보유하고 있는 연구기자재 및 시설비는 기업의 현물 부담액 중 인건비를 제외한 금액의 50퍼센트 이내, 중소기업ㆍ대기업이 아닌 경우에는 70퍼센트 이내)
※ 비고 1. "중소기업"이란 「중소기업기본법」 제2조제1항 및 같은 법 시행령 제3조에 따른 기업을 말한다. 2. "대기업"이란 「독점규제 및 공정거래에 관한 법률」 제9조제1항에 따른 상호출자제한기업집단에 속하는 기업을 말한다. 3. 중소기업 및 대기업에 모두 해당하는 기업은 중소기업으로 본다.

나. 신청서류

제출서류(15부)	비고
(필수) 연구개발계획서	‘미래창조과학부 소관 과학기술분야 연구개발사업 처리규정’[별지 제3호 서식]의 [별첨1]준용
(필수) 연구비 집행 윤리서약서	한국연구재단 제공양식
(필수) 개인정보 제공 및 활용 동의서	한국연구재단 제공양식
(필수) 논문, 특허, 기술료 등 증빙자료	한국연구재단 제공양식
(해당시) 기업참여의사확약서	한국연구재단 제공양식
(해당시) 연구장비도입 심의요청서	3천만원 이상 모든 시설장비 작성 한국연구재단 제공양식
(해당시) 연구과제수 상한(3책 5공) 예외인정 요청서	한국연구재단 제공양식
(해당시) 가감점이 있을 경우 해당 증빙서류	별도 양식 없음
(해당시) 보안서약서	한국연구재단 제공양식

※ 연구사업통합시스템(http://ernd.nrf.re.kr) 접속 후, 연구계획서 등록 및 승인

※ 신청공문은 해당 연구관리부서의 전자인증 기관승인으로 갈음함

※ 제본 제출하는 연구개발계획서 등에는 기관장 및 연구책임자의 직인 필요함

※ 과제명, 책임자, 연구비 등 양식에서 요구하는 기록사항은 반드시 기재

다. 신청방법 : 인터넷 접수 + 방문(또는 우편) 접수

◦ 인터넷 접수

- 연구통합관리시스템(http://ernd.nrf.re.kr)에 접속하여 안내에 따라 접수

☞ 절차 : ① 연구책임자 정보 갱신 (연구업적 등) ⇢ ② 연구개발계획서 온라인 등록 ⇢ ③ 주관연구기관 (소속기관) 확인‧승인

- 원 소속기관장 명의의 각종 제출 자료는 연구개발계획서에 제본 순서대로 스캔하여 첨부한 후 1개 파일로 업로드 하여야 함

- 기한 내(6.16.17시) 주관연구기관 승인까지 완료되어야 접수 인정됨

◦ 방문 접수(또는 우편 접수)

- 연구개발계획서 등 신청서류를 1권으로 제본하여 방문 또는 우편으로 제출(15부)

◼접수처 : 대전광역시 유성구 가정로 201, 한국연구재단 연구관 2층  국책연구본부 나노융합팀 (우편번호 : 305-754)

- 접수마감 시한 내 도착분에 한하여 인정

※ 인터넷에 등록한 자료와 서류로 제출한 자료의 내용이 동일해야 함

※ 접수된 서류는 반환하지 아니함

3. 사업추진방법 및 평가

가. 사업추진방법

◦ 공고된 사업제안요구서(RFP)를 충족하는 연구과제로서 공개경쟁의 원칙을 적용하여 선정함

◦ 선정 및 단계평가, 연차점검 등의 업무는 전문기관(한국연구재단)에서 수행

◦ 사업기간은 5년이며, 2단계(3+2년)로 지원하되, 단계평가를 통해 우수과제 지원 확대 및 연구비 차등 지원 가능

나. 평가 절차

◦ 제출한 연구개발계획서에 대한 서면검토 후, 발표평가 실시

①사전검토		②전문가평가		③전문기관검토		④사업추진위원회
연구계획서 검토 (신청자격 등)		1차 : 서면검토 2차 : 발표평가		연구비 조정(안) 제시, 가감점 부여, 평가결과 종합/보고		평가결과 확정 및 선정
한국연구재단		한국연구재단		한국연구재단		미래창조과학부

※ 분야별 단독 응모 시, 전문가평가에서 70점미만의 평가점수를 받은 경우 탈락 조치

※ 전문가 평가는 1차 서면검토와 2차 발표평가를 병행하여 실시

【사전검토】

◦ 신청기관(연구책임자)의 자격, 신청서식 등을 검토

◦ 보완사유가 있을 경우에는 신청서를 반려하여 신청자에게 일정기간의 보완기회를 부여하고, 기한 내에 보완되지 않은 신청서는 평가 대상에서 제외

【전문가 평가】

◦ (평가위원회 구성) 산‧학‧연 관련분야 전문가 7인 내외 구성

- 평가의 객관성 및 공정성을 위하여 대상과제와 이해관계가 있거나 공정한 평가를 저해할 우려가 있는 전문가 제외

※ 미래창조과학부 소관 과힉기술분야 연구개발사업 처리규정 [별표 1]의 연구개발과제 평가위원 선정기준을 준용하여 선정

◦ (평가방법) 서면검토 및 발표평가 실시

◦ (평가항목 및 지표(안))

평가항목	평가지표
연구계획	RFP와의 부합성
	연구계획의 창의성 및 혁신성
	연구 목표의 명확성(계획의 타당성)
	연구내용 및 추진체계의 적절성 (추진전략의 구체성 및 실현가능성)
연구역량	주관연구책임자의 연구경력 및 연구업적
	참여연구진 구성의 우수성
성과활용	연구결과 활용 및 적용방안의 구체성 등 (원천기술의 확보가능성, 성과학산 등)
	연구목표 달성 시 혁신적 기대효과 창출 가능성 (과학적성과, 기술적성과, 사회‧경제적 성과 등 파급효과)

※ 선정평가계획 수립 시 일부 내용 변동 가능

【전문기관 검토】

◦ (전문가 평가점수 산출) 평가위원의 최고점과 최저점을 제외한 산술평균 값

◦ (가감점 부여) 전문가 평가 점수 60점 이상 과제를 대상으로 하며, 최대 3점으로 제한함(60점 미만, 단독응모 과제는 70점 미만 탈락 처리)

※ 가감점 부여는 미래부 처리규정 [별표2]의 연구개발과제 선정의 우대․감점의 기준 및 방법을 준용하며, RFP 공고일 기준 실적을 적용 대상으로 함

연구개발과제 선정의 우대ㆍ감점의 기준

1. 가점 부여항목

가. 최근 2년 이내에 최종평가 결과가 최우수등급인 연구개발과제의 연구책임자가 새로운 연구개발과제를 신청하는 경우(2점)

나. 최근 3년 이내에 협약한 연구개발과제로서 협약 시 보안과제로 분류된 연구개발과제의 연구책임자가 새로운 연구개발과제를 신청하는 경우(1점)

다. 최근 3년 이내에 기술실시계약을 체결하여 징수한 기술료 총액이 2천만원 이상이거나, 같은 기간 내에 2건 이상의 기술이전 실적이 있는 연구책임자가 새로운 연구개발과제를 신청하는 경우(1점)

2. 감점 부여항목

가. 최근 3년 이내에 제43조제2항의 연구부정행위로 판단되어 협약이 해약된 연구개발과제의 연구책임자가 새로운 연구개발과제를 신청하는 경우(2점)

나. 최근 2년 이내에 최종평가 결과가 최하위등급(상대평가 시 하위 10％ 등급, 절대평가 시 만점의 50％ 이하)인 연구개발과제의 연구책임자가 새로운 연구개발과제를 신청하는 경우(2점)

다. 최근 3년 이내에 연구개발과제 선정 후 협약을 포기한 경력이 있는 연구책임자나 기업의 경우(2점)

라. 최근 3년 이내에 연구개발과제의 연구수행 도중 연구를 포기한 경력이 있는 연구책임자나 기업의 경우(2점)

마. 최근 2년 이내에 최종평가 결과가 하위등급(상대평가 시 하위 30％등급, 절대평가 시 만점의 60％ 이하)인 연구개발과제의 연구책임자가 새로운 연구개발과제를 신청하는 경우(1점)

바.「하도급거래 공정화에 관한 법률」을 최근 3년 이내에 상습적으로 위반한 기업이 연구개발과제를 신청한 경우에 그러한 위반 사실이 같은 법 제26조에 따른 공정거래위원회로부터 관계 행정기관의 장에의 통보 등을 통하여 확인될 경우(2점)

※ 위에 제시한 항목에 대한 관련 증빙자료를 별도 제출해야 하며, 연구개발계획서에 관련 사실을 제시하지 않은 책임은 전적으로 신청기관 및 연구책임자에게 있음

◦ (연구비 조정) 전문가 평가의견 검토 후 예산 범위 내에서 연구비 조정(안) 작성

【사업추진위원회 심의】

◦ 전문기관이 제출한 종합평가서 검토, 평가결과의 타당성 등 심의 후 최종 선정과제 및 연구비 확정

4. 유의사항

◦ 제본 제출하는 연구개발계획서 등에는 기관장 및 연구책임자의 직인 필요

◦ 신청 마감일 전일까지「국가연구개발사업의 관리 등에 관한 규정」제27조에 의하여 참여제한이 종료되지 않은 자는 과제신청 자격이 없음

◦ 각종 증빙자료의 기산일은 접수마감일 기준임

◦ 가감점 항목에 대한 관련 증빙자료를 별도 제출해야 하며, 연구개발계획서에 관련 사실을 제시하지 않은 책임은 전적으로 신청기관 및 연구책임자에게 있음. 특히 감점에 대한 증빙자료를 제출하지 않은 경우 추후 선정 취소 및 선정 취소일까지 집행한 연구비는 전액 회수 가능

◦ 동시수행가능 연구개발과제는 세부과제 기준으로 산정함

◦ 3,000만원 이상의 연구시설장비 도입 시, 연구장비도입 심의요청서 작성

◦ 개인정보(특히, 주민등록번호)이 포함되지 않도록 신청서류 작성

5. 관련 적용 규정 및 연구성과물 기탁·등록사항

◦ 사업추진과 관련하여 본 공고에서 정하지 아니한 사항은 아래 관련규정을 적용함

-「국가연구개발사업의 관리 등에 관한 규정」

-「국가연구개발사업의 관리 등에 관한 규정 시행규칙」

-「2013년도 국가연구개발사업 기관별 간접비율 계상기준」

-「국가연구개발사업 동시수행 연구개발과제 수 제한 기준」

-「미래창조과학부 소관 과학기술분야 연구개발사업 처리규정」

-「미래창조과학부 과학기술분야 연구개발사업 보안관리지침」

-「학생인건비 통합관리 지침」

-「학생인건비 계상기준」

-「국가연구시설장비 관리 표준지침」

◦ 연구성과물 기탁·등록사항

- 대상 : 국가연구개발사업 선정과제

-「국가연구개발사업의 관리 등에 관한 규정」제25조에 따라 연구개발결과 확보된 연구 성과물을 동 규정에서 정한 기관에 기탁 및 등록하여야 함

※ 연구장비ㆍ재료비 중 연구기자재 및 시설이 3,000천만원 이상의 연구시설장비의 중복성 검토는 NTIS 자료(http://nfec.ntis.go.kr/main)를 활용하여 검색ㆍ판단

- 판단이 모호하거나 어려울 경우, 국가연구시설장비진흥센터(http:/www.nfec.go.kr, 042-865-3516, budget@nfec.go.kr)에 중복성 여부 판정을 의뢰할 수 있으며, 그 결과(NTIS 등 검색ㆍ자문결과 표시)를 첨부하여야 함. RED 연구장비심의서비스(http://red.nfec.go.kr)에서 회원가입 후 신청할 수 있음

- 중복장비일 경우에는 기존 사용자에게 공동활용 가능여부를 문의하고, 가능할 경우에는 장비 사용료만 연구비에 계상, 불가능할 경우에는 사유를 첨부하여 연구계획서에 첨부하여 제출함

6. 향후 일정(안)

◦ 공고 및 인터넷 접수기간 : 2015.5.8. ~ 6.16.(40일간), 17:00

◦ 방문(또는 우편) 접수기한 : 2015.6.16., 17:00

◦ 신규과제 선정평가 : 2015. 7월 초(예정)

◦ 선정결과 공고 및 이의신청 : 2015. 7월 말

※ 평가결과는 한국연구재단 홈페이지(http://www.nrf.re.kr) 게시 및 개별통보 예정

※ 평가의견은 연구통합관리시스템(http://ernd.nrf.re.kr)을 통해 통보 예정

◦ 선정결과 통보 및 협약체결/연구개시 : 2015. 8월 초

※ 구체적인 평가방법 및 일정은 과제신청 접수 후 통지 예정

7. 문의처

◦ 사업 관련 문의

- 한국연구재단 나노융합팀 조찬희 연구원(042-869-7787, jch3@nrf.re.kr)

◦ 연구계획서 작성 및 접수 문의

- 한국연구재단 나노융합팀 임아름 연구원(042-869-7734, areum12@nrf.re.kr)

◦ 연구통합관리시스템 전산 장애 문의

- 한국연구재단 HELP DESK(1544 – 6118)

붙임 신규과제제안요구서(RFP) 6부

		RFP 번호	1
과제명	차세대 초절전 집적 공정 플랫폼 개발
1. 연구목표
○ 최종목표 - 초연결 사회가 요구하는 저전력 구현과 나노 인프라 기반 기술력 향상을 위한 차세대 초절전 3차원 집적 공정 플랫폼 개발 및 IP 확보와 국제 협력을 통한 표준화 ○ 1단계(2015∼2017, 3년) - 초절전 IoT 소자 결합 플랫폼 확보를 위한 3차원 집적 공정과 최적 아키텍처 개발 및 IP 확보와 국제 공동 연구 환경 구축 - 초절전 IoT 소자 결합 플랫폼 구현을 위한 저온 기반 단위 요소 공정 개발 및 IP 확보 ○ 2단계(2018∼2019, 2년) - 결합 소자 개발을 통한 초절전 IoT 소자 결합 플랫폼 검증 및 IP 확보
2. 연구내용 및 범위
○ 1단계(2015∼2017, 3년) ① 초절전 IoT 소자 결합 플랫폼 확보를 위한 3차원 집적 공정과 최적 아키텍처 개발 및 IP 확보와 국제 공동 연구 환경 구축 - 3차원 단일 집적용 결합 공정 기반기술 개발 및 IP 확보 ∙ 저온 단위 공정 개발을 위한 테스트 구조 개발 및 제작, 측정/성능 평가 ∙ 3차원 결합 플랫폼 구현을 위한 구조 설계 및 하부용 테스트 CMOS 소자 제작 ∙ 레이저 기반 저온 3차원 결합 기술 개발 - 초절전 IoT 결합 시스템의 성능 및 전력 소모 최적화 아키텍처 IP 확보 및 모델링 ∙ 차세대 시스템의 성능 및 전력 소모 분석을 위한 모델링 툴 확보 및 배선 길이 감소에 따른 아키텍처 레벨 성능/전력 소모 모델링 ∙ 3차원 집적용 저온 결합 공정 플랫폼의 모델링 적용 확대 및 검증 ∙ 3차원 시스템 레벨 발열 모델링 및 저발열 기반 성능 향상 개선과 정적 전력 감소 기법의 개발 및 관련 IP 확보(기존 3D Parallel 기반 아키텍처 대비 칩 온도 10도 이상 감소, 10% 이상 전력 소모 절감) ∙ 결합소자 아키텍처의 모델링 및 비교 검증 ② 초절전 IoT 소자 결합 플랫폼 구현을 위한 저온 기반의 단위 요소 공정 개발 및 IP 확보 - 3차원 결합 구현을 위한 상부 소자용 550℃ 이하 저온 공정 라이브러리 및 IP 확보 ∙ 새로운 S/D 형성 초저온 단위 공정 및 저항 감소 기술 개발 ∙ 저온 금속 및 High-k 증착을 통한 Gate Stack 형성 단위 공정 개발 - 3차원 결합 구현을 위한 하부 소자 열적 안정성 확보 저온 공정 라이브러리 및 IP 확보 ∙ 550℃ 고온 공정 가능한 높은 열적 안정성을 위한 새로운 S/D 형성 기술 개발 ∙ 저저항 컨택의 열적 안정성 향상 기술 개발 - 3차원 결합 구현을 위한 상부 반도체 기반 소자 층 형성 저온 공정 플랫폼 개발 (Thermal Budget < 550℃, 소자 층 두께 < 200nm) ∙ CVD 기반 웨이퍼 상부층 반도체 층 형성 저온 공정 기술 개발 ∙ 본딩 공정을 통한 반도체 층 저온 전사 및 형성 기술 개발 ③ 결합 소자 개발을 통한 초절전 IoT 소자 결합 플랫폼 검증 및 IP 확보 - 극 초절전 구현 결합 소자 공정 개발 및 제작/평가와 IP 확보 ∙ 상부 소자용 저온 제작 가능한 스위칭 소자 공정 개발 (공정 온도 < 550 ℃) ∙ 상부 스위칭소자 모델링 및 IP 확보 ○ 2단계(2018∼2019, 2년) ① 초절전 IoT 소자 공정 플랫폼 기반의 집적소자 개발 및 상용화 - 550℃ 이하 저온 공정 라이브러리를 이용한 집적소자 개발 및 시제품 제작 ∙ 선행 개발 공정 및 결합 소자를 8인치 대구경 웨이퍼 공정 라인에 적용하여 시제품 제작
3. 성과목표
○ TRL 3 ~ 5 단계 ○ 해외연구기관과 협력연구 계약 총 1건 이상 ○ 해외 연구비 수주 총 2건 이상 ○ 특허 출원 6건/년 이상(시스템 및 아키텍처 특허 총 15건 이상) ○ 기술 이전 총 2건 이상 ○ 표준공정 플랫폼 개발 총 2건 이상(차세대 초절전 소자 표준 공정 플랫폼, 결합 소자 기반 초절전 공정 플랫폼) ○ 1단계 완료 후 표준 공정 라이브러리를 홈페이지에 공시 ○ 플랫폼 공정/기술 사용료 : 직접비 기준 1단계 5%, 2단계 20%, 종료 후 2년 이내 30% 이상(기술료 포함)
4. 특기사항
○ 초절전 집적 공정 플랫폼 공정 개발을 통한 해외 연구 기관 컨소시엄 구성 추진 ○ 해외 연구기관과 협력연구를 통한 연구 성과확산 및 표준화 활동(기존 결합 플랫폼 해외 연구기관과의 협력연구 협의와 연구 교류) ○ 3년 내 IP 망 구축과 기술이전 사례 도출 ○ 2개 이상의 세부과제로 총괄과제 구성 필요(나노팹시설 참여 필수, 산·학·연 컨소시엄 구성 권장) ○ 사업 취지 및 목표 실현을 위해 별도 총괄․운영 과제의 관리 하에 추진될 예정임
5. 사업기간/예산	총 5년(3+2), 11억원 내외/년(`15년 8.25억 이내) (단, 연구비는 해당연도 예산 사정 및 범위 내에서 지급 예정)

RFP 번호

2

과제명

스마트센서용 초소형 NEMS 공정플랫폼 개발

1. 연구목표

○ 최종목표

- 스마트센서를 위한 고집적 벌크 NEMS 공정 플랫폼(6“/8”), 나노 멤브레인 공정 플랫폼(6“/8”), 3차원 적층 소자용 NEMS 기반 공정 플랫폼((6“/8”) 개발 및 파운드리 서비스 제공

○ 1단계(2015∼2017년, 3년)

- 벌크 실리콘 SOLID NEMS 공정 플랫폼 개발

- 나노 멤브레인 공정 플랫폼 개발

- 3차원 적층 소자용 NEMS 기반 공정 플랫폼 개발

○ 2단계(2018∼2019년, 2년)

- 벌크 실리콘 SOLID NEMS 공정 플랫폼 적용 파운드리 서비스

- 나노 금속도금 공정 플랫폼 개발 및 나노 금속도금 공정 플랫폼 적용 파운드리 서비스

- 나노 멤브레인 공정 플랫폼 적용 파운드리 서비스

- 3차원 적층 소자용 NEMS 기반 공정 플랫폼 적용 3차원 집적 소자 제작

2. 연구내용 및 범위

○ 1단계(2015∼2017년, 3년)

① 벌크 실리콘 SOLID NEMS 공정 플랫폼 개발

- 기 구축된 국내 인프라 활용 맞춤형 벌크 실리콘 SOLID 일괄 공정 개발

- 6/8인치 공정 최적화 벌크 실리콘 구조체 제작 레시피 개발

- 웨이퍼 레벨 패키징 기술 개발

- 실리콘 NEMS 관성 센서 설계 및 공정 프로세스 확립

- 실리콘 NEMS 관성 센서 시제품 제작

② 나노 멤브레인 공정 플랫폼 개발

- 전통적 멤스 공정기반(리프트 오프, 고온 열처리, 접합 등)의 나노두께의 멤브레인 단위공정 기술개발

- 최적의 3차원 나노 멤브레인 구조 및 공정 설계

- CMOS 호환 나노두께의 멤브레인 단위공정기술개발

- 실리콘질화물/실리콘산화물 단일/복합나노박막(총 두께 < 1um) 단위 공정기술 개발

- 응력 제어가 가능한 나노두께의 멤브레인 공정기술 개발

- 희생층 단위 공정기술 개발(희생층/희생층 갭/멤브레인 구조 희생층)

- 복합박막 안정구조 단위 공정기술 개발

- NEMS 가스센서 설계 및 공정 프로세스 확립

- NEMS 가스센서 시제품 제작

- NEMS 적외선센서 설계 및 공정 프로세스 확립

③ 3차원 적층 소자용 NEMS 기반 공정 플랫폼 개발

- 3차원 적층 상부소자용 NEMS 소자 저온 단위 공정 기술 개발

- ILD 층 위에 구현 가능한 Relay 소자 공정 기술 개발

- NEMS Relay 기반 회로 구현을 위한 소자 모델링 및 회로의 성능/전력 소모 모델링

- CMOS 회로와 MEMS Relay 회로로 구성된 하이브리드 회로 설계, 동작 특성검증

- MEMS Relay 기반 논리회로 모델링 및 개발

○ 2단계(2018∼2019년, 2년)

① 벌크 실리콘 SOLID NEMS 공정 플랫폼 적용 파운드리 서비스

- 실리콘 NEMS 관성 센서 ROIC 집적형 소자 개발

- 실리콘 NEMS 관성 센서 ROIC 집적형 SiP 개발

- 공정 최적화 및 파운드리 서비스 제공

② 나노 금속도금 공정 플랫폼 개발

- 관성센서 적용 나노 금속도금법 개발

- 감광제 도금몰드의 나노 패터닝법 및 나노 감광제의 도금법 개발(<1um)

- 다양한 금속재료의 나노미터 급의 도금법 개발(금속 3종 이상)

- 도금된 금속 박막의 잔류응력 제어 방법 개발(<1um두께의 응력 제어)

- 금속 NEMS 관성 센서 설계 및 공정 프로세스 확립

- 금속 NEMS 관성 센서 시제품 제작

③ 나노 금속도금 공정 플랫폼 적용 파운드리 서비스

- 나노 도금 공정 장비 개발

- 공정 최적화 및 파운드리 서비스 제공

④ 나노 멤브레인 공정 플랫폼 적용 파운드리 서비스

- 복합나노박막 및 희생층 적용 일괄 공정기술 개발

- 모듈 공정기술 개발

- 대면적 일괄 공정기술 개발

- 공정 최적화 및 파운드리 서비스 제공

- NEMS 적외선센서 시제품 제작

⑤ 3차원 적층 소자용 NEMS 기반 공정 플랫폼 적용 3차원 집적 소자 제작

- FPGA를 이용한 하이브리드 회로의 동작 특성 검증 기술 개발

- 선행 개발 공정 및 소자를 6“/8” 대구경 웨이퍼 공정 라인에 적용한 시제품 제작

○ 최종 목표 성능

Si NEMS 관성센서		NEMS 가스센서
resolution	16bit	감지 물질	acetone(500 ppb이상), toluene(1.0 ppm이상)
chip size	< 2x2mm	chip size	< 2x2mm
소비전력	< 150uA	전력 소모량	< 20mW
dynamic range	< 16g	동작온도까지 승온시간	< 10sec
noise density	<150 μg/√Hz	내구성	ON(300℃), OFF(상온) > 1,000 cycle

NEMS 적외선센서		NEMS Relay
해상도	80x80 arrays	구동전압	< 0.5 V
응답도	> 10mV/K	온/오프 전류비	> 100,000
NETD	< 100mK	누설전류	< 10pA/um
패키징 형태	웨이퍼 레벨 진공 패키징	공정 온도	< 550oC

3. 성과목표

○ TRL 4 ∼ 7 단계

○ 특허 출원 총 12건 이상(국내 10건 이상, 국외 2건 이상)

○ 기술이전 총 2건 이상(금속 NEMS 관성 센서 제조공정, NEMS 가스 센서 제조공정)

○ 시제품 제작 총 3건 이상(실리콘 NEMS 관성센서, 금속 NEMS 관성센서, NEMS 가스센서, NEMS 적외선 센서, 3차원 집적 NEMS 기계적 스위치 소자)

○ 라이브러리 구축 총 3건 이상(벌크 실리콘 NEMS (SOLIDⓇ)공정, 나노 금속도금 공정, 나노 멤브레인 공정, 3차원 집적 NEMS 기계적 스위치 공정)

○ 1단계 완료 후 표준 공정 라이브러리를 홈페이지에 공시

○ 플랫폼 공정/기술 사용료 : 직접비 기준 1단계 5%, 2단계 20%, 종료 후 2년 이내 30% 이상(기술료 포함)

4. 특기사항

○ 라이브러리 구축은 전체 Process Kit와 Design Rule을 모두 포함하며 설계자가 설계에 필요한 모든 공정 및 설계 Parameter를 포함하여야 함

○ 2개 이상의 세부과제로 총괄과제 구성 필요(나노팹시설 참여 필수, 산·학·연 컨소시엄 구성 권장)

○ 사업 취지 및 목표 실현을 위해 별도 총괄․운영 과제의 관리 하에 추진될 예정임

5. 사업기간/예산

총 5년(3+2), 9억원 내외/년(`15년 6.75억 이내)

(단, 연구비는 해당연도 예산 사정 및 범위 내에서 지급 예정)

		RFP 번호	3
과제명	차세대 나노 소자 양산을 위한 마스크 오염방지 플랫폼 기술개발
1. 연구목표
○ 최종목표 - 10nm node 이하 소자 양산에 적용 가능한 마스크 오염방지용 신물질 보호막 및 신 구조 개발과 멤브레인형 full-scale 펠리클 제작이 가능한 플랫폼 기술 확보 ○ 1단계(2015∼2017, 3년) - 멤브레인형 펠리클 제작 플랫폼 기술 개발 ○ 2단계(2018∼2019, 2년) - 신개념 펠리클 소재/구조 기술개발
2. 연구내용 및 범위
○ 1단계(2015∼2017, 3년) ① 멤브레인형 펠리클 제작 플랫폼 기술 개발(투과도>85%, 크기>110x72mm2) - 고투과도 멤브레인 소재 및 구조의 광학적 설계기술 개발 - 저응력, 고투과도 멤브레인 소재의 박막공정 개발 - 멤브레인 제작기술 개발 (wet/dry/vapor etching) 및 펠리클 시제품 제작 - 극박막 멤브레인 소재의 기계적/열적 안정성 평가방법 개발 ○ 2단계(2018∼2019, 2년) ① 신개념 펠리클 소재/구조 기술개발(투과도>90%, 크기>110x144mm2) - 신소재 하이브리드화에 의한 신물질/신구조 펠리클 개발 및 시제품 제작 - 6 inch 마스크 대응 대면적 멤브레인 제작기술 개발 - Actinic 투과도 측정 및 노광공정 영향 평가기술 개발 ○ 최종 목표 성능 - EUV 투과도 및 균일성: >90%/<±2% - 열적 안정성: > 5W/cm2 - 기계적 안정성: 100m/sec2(스테이지 대응강도) 이상, 3.5mbar/sec(압력변화 대응강도) 이상 - 멤브레인 두께: 50nm(<±10%) 이하 - 크기: 110mm x 144mm (inner), 118mm x 150mm (outer)
3. 성과목표
○ TRL 4 ∼ 6 단계 ○ 특허 출원 총 9건 이상(국내 6건 이상, 국외 3건 이상) ○ 기술이전 총 2건 이상 ○ 시제품 제작 총 2건 이상 ○ 표준공정 플랫폼 개발 총 2건 이상 ○ 1단계 완료 후 표준 공정 라이브러리를 홈페이지에 공시 ○ 플랫폼 공정/기술 사용료 : 직접비 기준 1단계 5%, 2단계 20%, 종료 후 2년 이내 30% 이상(기술료 포함)
4. 특기사항
○ 펠리클의 특성 평가 시 수요기업의 참여 필요 ○ 2개 이상의 세부과제로 총괄과제 구성 필요(나노팹시설 참여 필수, 산·학·연 컨소시엄 구성 권장) ○ 사업 취지 및 목표 실현을 위해 별도 총괄․운영 과제의 관리 하에 추진될 예정임
5. 사업기간/예산	총 5년(3+2), 8억원 내외/년(`15년 6억원 이내) (단, 연구비는 해당연도 예산 사정 및 범위 내에서 지급 예정)

		RFP 번호	4
과제명	나노 실리콘 기반 센서 공정플랫폼 기술개발
1. 연구목표
○ 최종목표 - 사물인터넷 구현용 반도체센서 설계 및 표준공정 개발, 신호검출회로 개발 및 검증기술, 회로/센서 연결기술 개발을 포괄하는 고성능 나노 실리콘 기반의 센서 공정 플랫폼 기술 개발 ○ 1단계(2015∼2017, 3년) - 사물인터넷 구현용 나노 실리콘 기반 반도체센서 표준공정, 신호검출 회로 및 검증기술 개발, 회로·센서 연결기술을 포괄하는 센서 공정 플랫폼 기술 개발 ○ 2단계(2018∼2019, 2년) - 나노 실리콘 기반 센서 공정 플랫폼 기술 고도화 및 광학센서를 활용한 휴대형 광학분석기 시제품 개발
2. 연구내용 및 범위
○ 1단계(2015∼2017, 3년) - 단일광자검출센서 표준공정 확보(Gain 106 이상, 시간분해능 1ns 이하) - 센서 표준공정 활용 단일광자검출센서 시작품 제작 - 용량형 센서, 저항형 센서 변환용 신호검출회로 선진제품 벤치마킹 및 설계/제작/검증 (2세트) - 회로 및 센서 연결기술 개발 및 제품화(TSV 후면연결 및 솔더 본딩 기술) - 실리콘 나노와이어 센서 표준공정 확보(나노와이어 직경 50+/-20nm) - 나노와이어 FET 특성, 광특성, 압저항 특성 평가기술 개발 - 광학센서 설계/특화공정/패키징 기술 개발(누설전류 10nA/mm2 이하, 균일도 90% 이상) ○ 2단계(2018∼2019, 2년) - 단일광자검출센서 표준공정 공정서비스(2건 이상) - 신호검출회로 보완 제작 및 검증(2세트, 정확도 90% 이상), - 회로/센서 연결기술 고도화(TSV 후면연결 및 마이크로범프 기술) - 실리콘 나노와이어 표준공정 공정서비스(2건 이상) - 실리콘 나노와이어 표준공정 활용 스트레인게이지 시작품 제작 - 고감도센싱 기술개발 및 환경조건별 센서특성 연구 - 휴대형 저전압 광대역 광학분석기 시제품 개발(구동전압 30V 이하, 측정파장 400∼ 900nm)
3. 성과목표
○ TRL 4 ~ 7 단계 ○ 특허 출원 총 9건 이상(국내 6건 이상, 국외 3건 이상) ○ 기술이전 총 2건 이상 ○ 시제품 제작 1건 이상(구동전압 30V 이하, 측정파장 400~900nm, TRL 7단계) ○ 표준공정 플랫폼 개발 총 2건 이상 - CMOS 기반 센서 공정플랫폼 표준공정 개발 및 단일광자검출센서 시작품 제작(TRL 6단계) - 나노와이어 기반 센서 공정플랫폼 표준공정 개발 및 스트레인게이지 시작품 제작(TRL 6단계) ○ 1단계 완료 후 표준 공정 라이브러리를 홈페이지에 공시 ○ 플랫폼 공정/기술 사용료 : 직접비 기준 1단계 5%, 2단계 20%, 종료 후 2년 이내 30% 이상(기술료 포함)
4. 특기사항
○ 2개 이상의 세부과제로 총괄과제 구성 필요(나노팹시설 참여 필수, 산·학·연 컨소시엄 구성 권장) ○ 사업 취지 및 목표 실현을 위해 별도 총괄․운영 과제의 관리 하에 추진될 예정임
5. 사업기간/예산	총 5년(3+2), 10억원 내외/년(`15년 7.5억원 이내) (단, 연구비는 해당연도 예산 사정 및 범위 내에서 지급 예정)

RFP 번호

5

과제명

고집적 다차원 센서 공정 플랫폼 개발

1. 연구목표

○ 최종목표

- IoT용 저가격, 초소형, 다기능 융복합 센서 개발을 위한 고집적 다차원 웨이퍼레벨 패키징, 테스팅 플랫폼 및 응용제품 개발

○ 1단계(2015∼2017, 3년)

- 고집적·다차원 패키징, 측정 플랫폼 개발 및 다기능 복합센서 응용

○ 2단계(2018∼2019, 2년)

- 다중물리 테스팅 플랫폼 개발 및 고기능 복합센서 응용

2. 연구내용 및 범위

○ 1단계(2015∼2017, 3년)

① 웨이퍼레벨 배선·패키징 플랫폼 개발

- 배선 단위 공정 및 저온접합공정 개발

- 대면적(8“) 다차원 패키징 공정 개발(2.5D, 3D)

- 융합센서 설계 및 가상 검증모델 확보

② 웨이퍼레벨 측정·테스팅 플랫폼 개발

- 다차원 멀티스케일 비파괴 및 파괴 분석기술 개발

- 적층형, 융합형 분석기술 개발

- 다중물리 테스팅 시스템 구축(전기, 열, 광, 기계적 물성)

③ 고집적 융합센서 개발

- 다기능 2.5D 복합센서 개발(센서-IC 융합, 이종기판센서 융합 구현)

- 다기능 3D 원칩센서 개발(온도, 습도, 압력, 가스 등 3종 이상 기능을 원칩(One-chip) 구현)

○ 2단계(2018∼2019, 2년)

① 웨이퍼레벨 배선·패키징 플랫폼 개발

- 플랫폼 최적화 및 센서 패키징 지원

② 웨이퍼레벨 측정·테스팅 플랫폼 개발

- 대면적(8“) 웨이퍼레벨, 칩 레벨 다중물리 테스팅 플랫폼 확보 및 지원

③ 고집적 융합센서 개발

- 고기능 고집적 융합센서 개발(관성, 적외선, 주파수 분야)

○ 최종 목표 성능

분류	주요 항목	목표 성능
플랫폼	2.5D 배선공정 플랫폼	8″, 동작률>90% @ 64 daisy chains
	접합공정 플랫폼	저온 Eutectic 공정(<300℃) 2건 이상 확보
	3D 패키징 플랫폼	8″, 진공도 < 1 Torr
	다차원 분석 플랫폼	비파괴 및 파괴분석기술 표준절차서 2건 이상 적층형 및 융합형 분석기술(10<ppm)
	다중물리 측정·테스팅 플랫폼	4종(전기, 열, 광, 기계) 측정시스템 확보
응용	다기능 2.5D 복합센서	Function test yield > 50%
	다기능 3D 원칩센서	3종 이상 원칩화, Design Kit확보
	고기능 고집적 융합센서	온도안정성 ±0.5℃ @ -40∼80℃, Design Kit확보

3. 성과목표

○ TRL 4 ∼ 6 단계

○ 특허 출원 총 9건 이상(국내 7건 이상, 국외 2건 이상)

○ 기술이전 총 3건 이상

○ 시제품 제작 총 3건 이상

○ 표준공정 플랫폼 개발 총 4건 이상

○ 1단계 완료 후 표준 공정 라이브러리를 홈페이지에 공시

○ 플랫폼 공정/기술 사용료 : 직접비 기준 1단계 5%, 2단계 20%, 종료 후 2년 이내 30% 이상(기술료 포함)

4. 특기사항

○ 2개 이상의 세부과제로 총괄과제 구성 필요(나노팹시설 참여 필수, 산·학·연 컨소시엄 구성 권장)

○ 사업 취지 및 목표 실현을 위해 별도 총괄․운영 과제의 관리 하에 추진될 예정임

5. 사업기간/예산

총 5년(3+2), 8억원 내외/년(`15년 6억원 이내)

(단, 연구비는 해당연도 예산 사정 및 범위 내에서 지급 예정)

		RFP 번호	6
과제명	고감도‧고성능‧극한환경 센서용 공정플랫폼 기술개발
1. 연구목표
○ 최종목표 - 고감도, 고성능, 극한환경 센서용 GaAs, GaN, SiC 기반의 센서공정 플랫폼을 구축하고 산‧학‧연에 서비스 제공 ○ 1단계(2015∼2017년, 3년) - 6“ GaAs 기반 고감도 자기센서, GaN 기반 HEMT 고감도‧극한환경형 센서, SiC 기반 극한환경형 센서의 표준공정 라이브러리 구축 및 산‧학‧연 서비스 제공, 고감도 자기센서의 상용화 시제품 개발 및 AlGaN/GaN HEMT 입력 transducer를 제작·보급 ○ 2단계(2018∼2019년, 2년) - InAs 기반 초고감도 자기센서 공정 및 시제품, GaN HEMT 기반 복합가스센서 상용화 시제품, SiC 기반 극한환경형 센서 시제품 제작 및 산‧학‧연 서비스 제공
2. 연구내용 및 범위
○ 1단계(2015∼2017년, 3년) - 4“ 기반 고감도 AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor) 기반 센서 표준공정 라이브러리 (library) 구축 및 공시 - 4“ 기반 센서용 고이동도를 갖는 HEMT 소자 개발 및 최적화 ∙ HEMT 소자 2DEG mobility : 1,800 cm2/V‧s 이상 - HEMT 센서 플랫폼 산·학·연 공급 : 10개 기관 이상 - HEMT기반 복합 유해가스 검출을 위한 표면 기능화 기술개발 : 2종 이상(일산화탄소, 이산화탄소, 이산화질소, 아황산가스, 수소, 포름알데히드 중) - 2“ ~ 6” GaAs 웨이퍼 기반의 자기센서 표준공정 라이브러리 구축 및 공시 - 6“ GaAs 자기센서소자 공정플랫폼 최적화 및 초소형‧고감도 자기센서 소자개발 ∙ Hall Voltage = 80~110 mV(측정조건: 500 Gauss, 6V 인가) ∙ Chip size < 250㎛× 250㎛ - SiC 센서 공정기술 개발(SiC 멤브레인형성 기술등 10건 이상), 표준공정 라이브러리 구축 및 공시 - SiC 트렌지스터 형성 기술 개발 - 4“ SiC 기반 고온‧고압 센서 제조/평가 및 시제품 제작(동작 온도 600 ℃ 이상, 작동 압력 2 MPa (파열압 1.5배, 3 MPa) 이상) ○ 2단계(2018∼2019년, 2년) - HEMT 기반 센서 플랫폼 성능개선 (감도 및 동작온도 향상) 및 최적화 ∙ 2DEG mobility : 2,000 cm2/V‧s 이상 ∙ 표준 수소센서 동작온도 400 ℃ 이상 - 복합 유해가스센서 성능향상 및 제품화 : 2종 이상의 가스 동시 측정(NO2 : 100 ppb, CO : 400 ppm, CO2 : 5,000 ppm, HCHO : 0.2 ppm, SO2 : 5 ppm, H2 : 20 ppm 이하) - InAs 기반 초고감도 자기센서 공정개발 및 시제품 제작 - 6“ 초고감도 자기센서 성능향상 및 상용화 ∙ Hall Voltage = 90~130 mV (측정조건: 500 Gauss, 3V 인가) - SiC 기반 센서 성능향상을 위한 신물질 개발 및 초정밀 환경 센서 제조/평가(동작온도 650 ℃ 이상, 검출범위 0.1~10% (H2 기준), 민감도 1 ppm 이상 (H2 기준)) - SiC 기반 센서 시제품 제작 및 상용 서비스
3. 성과목표
○ TRL 4 ∼ 6 단계 ○ 특허 출원 총 14건 이상(국내 12건 이상, 국외 2건 이상) ○ 기술 이전 총 2건 이상 ○ 시제품 제작 총 4건 이상 ○ 센서 제작 표준공정 라이브러리 구축 총 3건 이상 ○ AlGaN/GaN HEMT 기반 입력 transducer 산‧학‧연 공급 : 10개 기관 이상 ○ 1단계 완료 후 표준 공정 라이브러리를 홈페이지에 공시 ○ 플랫폼 공정/기술 사용료 : 직접비 기준 1단계 5%, 2단계 20%, 종료 후 2년 이내 30% 이상(기술료 포함)
4. 특기사항
○ 2개 이상의 세부과제로 총괄과제 구성 필요(나노팹시설 참여 필수, 산·학·연 컨소시엄 구성 권장) ○ 사업 취지 및 목표 실현을 위해 별도 총괄․운영 과제의 관리 하에 추진될 예정임
5. 사업기간/예산	총 5년(3+2), 11.5억원 내외/년(`15년 8.625억원 이내) (단, 연구비는 해당연도 예산 사정 및 범위 내에서 지급 예정)